自旋电子器件、存储单元、存储阵列和读写电路

摘要

本公开提供了一种自旋电子器件，应用于集成技术领域，包括：底电极，自旋轨道耦合层，设置在所述底电极上，至少一对磁性隧道结，设置在所述自旋轨道耦合层上，每个所述磁性隧道结包括由下而上依次设置的自由层、隧穿层和参考层，每对所述磁性隧道结的两个磁性隧道结的参考层磁化方向相反，顶电极，设置在每个所述磁性隧道结的参考层上。本公开还公开了一种存储单元、存储阵列和读写电路。