公开/公告号CN111916502A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201910385710.3
申请日2019-05-09
分类号H01L29/786(20060101);H01L29/06(20060101);H01L23/552(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/088(20060101);
代理机构11386 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人庞许倩;马东伟
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-06-19 08:50:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-03
授权
发明专利权授予
机译: 一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译: 一种具有高k介电栅极层和金属栅电极的半导体器件的制备方法
机译: 一种具有高k介电栅极层和金属栅电极的半导体器件的制备方法