嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式镜像位SONOS存储器的工艺方法：在半导体衬底上淀积衬垫氧化层和氮化硅层；光刻及刻蚀使氮化硅层图案化；对暴露出的衬垫氧化层进行刻蚀；再整体生长一层ONO层；淀积第一多晶硅层；对第一多晶硅层进行刻蚀，以及对ONO层进行刻蚀；生长选择管氧化硅层；淀积第二多晶硅层并进行CMP工艺以及刻蚀；去除氮化硅层以及氮化硅层底部的衬垫氧化层；生长逻辑氧化层；淀积第三多晶硅层并进行刻蚀。本发明通过调整光刻定义的范围，将光刻定义的范围扩展至一次打开一个选择管加两个存储管的整体宽度，单个存储管的宽度由多晶硅栅极的生长厚度来自对准定义，可以在光刻能力有限的情况下，实现更小尺寸的嵌入式镜像位SONOS存储器的制造。