The Ohio State University;
机译:表征在对SONOS / NROM〜(TM)非易失性半导体存储器(NVSM)器件进行编程期间对ONO电介质造成的损坏
机译:表征在对SONOS / NROM〜(TM)非易失性半导体存储器(NVSM)器件进行编程期间对ONO电介质造成的损坏
机译:带有SrRuO_3电极的外延铁电PbZr_xTi_1-xO_3薄膜电容器的生长与表征
机译:使用Al / Y_2O_3 / Ta_2O_5 / SiO_2 / Si结构的新型金属-高k-高k氧化物半导体(MHHOS)电容器和场效应晶体管,用于非易失性存储应用
机译:纳米级SONOS / MANOS非易失性半导体存储器(NVSM)器件的表征和建模
机译:用于非易失性存储器应用的供体接受器型Ambipolar半导体的滞后行为
机译:非易失性存储应用的金属铁电体(PbZr0.6Ti0.4O3)-绝缘体(La2O3)-半导体电容器的制造与表征
机译:用氮化siO(2)/ si(100)界面制备的sONOs非易失性存储器堆栈的循环耐久性;电子器件字母