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Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing
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Highly Stable SrZrO_3 Bipolar Resistive Switching Memory by Ti Modulation Layer
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作者:
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机译:
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10.
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18.
Oxidation, Diffusion, and Desorption in a Ge/GeO_2 System
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Ge / GeO_2系统中的氧化,扩散和解吸
作者:
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;
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会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
19.
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机译:
High-k / In_xGa_(1-x)As接口的研究
作者:
K. Cherkaoui
;
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;
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;
P. K. Hurley
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《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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20.
Variability and Reliability in Ultra-Scaled MOS Devices: How Should They Be Evaluated from Nanoscale to Circuit Level ?
机译:
超大规模MOS器件的可变性和可靠性:应如何评估它们从纳米级到电路级?
作者:
M. Nafria
;
R. Rodriguez
;
M. Porti
;
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;
M. Lanza
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会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
21.
Effect of processing conditions on the electrical characteristics of atomic layer deposited AI_2O_3 and HfO_2 films
机译:
工艺条件对原子层沉积的AI_2O_3和HfO_2薄膜电学特性的影响
作者:
J. M. Rafi
;
M. Zabala
;
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;
F. Campabadal
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
22.
Resistive Switching Behaviors of NiO Bilayer Films with Different Crystallinity Layers
机译:
具有不同结晶度层的NiO双层薄膜的电阻转换行为
作者:
Koji Kita
;
Atsushi Eika
;
Tomonori Nishimura
;
Kosuke Nagashio
;
Akira Toriumi
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
23.
Negatively Charged Defects Generated by Rare-Earth Materials Incorporation into HfO_2 and the Impact on the Gate Dielectrics Reliability
机译:
稀土材料掺入HfO_2中产生的带负电荷的缺陷及其对栅极介电可靠性的影响
作者:
Motoyuki Sato
;
Satoshi Kamiyama
;
Yoshihiro Sugita
;
Takeo Matsuki
;
Tetsu Morooka
;
Takayuki Suzuki
;
Kenji Shiraishi
;
Kikuo Yamabe
;
Jiro Yugami
;
Kazuto Ikeda
;
Yuzuru Ohji
;
Kenji Ohmori
;
KeisakuYamada
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
24.
Nanocrystalline materials - optimization of thin film properties
机译:
纳米晶体材料-薄膜性能的优化
作者:
Johannes Heitmann
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
25.
Three-Dimensionally Structured Thin Film Heterojunction Photovoltaics on Interdigitated Back-Contacts
机译:
交叉指接触点上的三维结构薄膜异质结光伏电池
作者:
D. Josell
;
C. R. Beauchamp
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会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
26.
Microfabricated Nanocomposite Polymers and Thin Films for Flexible Substrate Microfluidics and MEMS
机译:
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作者:
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会议名称:
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27.
Whisker Formation in Pb-Free Surface Finishes
机译:
无铅表面处理中的晶须形成
作者:
G.R. Stafford
;
M.E. Williams
;
J.W. Shin
;
K.-W. Moon
;
C.R. Beauchamp
;
W.J. Boettinger
会议名称:
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2010年
28.
Bulk Matter Resistivity Of Ti Based TiAIN Dielectric Thin Films
机译:
Ti基TiAIN介电薄膜的体电阻率
作者:
A. M. Razeghi
;
M. R. Hantezadeh
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
29.
CeO_2 Optical Properties and Electrical Characteristics
机译:
CeO_2的光学性质和电学特性
作者:
W. C. Shih
;
C.H. Chen
;
F. C. Chiu
;
C. M. Lai
;
H.L. Hwang
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
30.
New Metal-High-k-High-k-Oxide-Semiconductor (MHHOS) Capacitors and Field Effect Transistors using Al/Y_2O_3/Ta_2O_5/SiO_2/Si Structure for Non-volatile Memory Applications
机译:
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作者:
W. C. Shih
;
F. C. Chiu
;
H.L. Hwang
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
31.
Dielectric anomaly in Mg doped ZnO thin film deposited by sol-gel method
机译:
溶胶-凝胶法沉积镁掺杂ZnO薄膜的介电异常
作者:
Amanpal Singh
;
P. K. Khanna
;
Anuj Kumar
;
Mukesh Kumar
;
D. Kumar
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
|
2010年
32.
Temperature and Thickness dependence of cerium oxide dielectric breakdown
机译:
氧化铈介电击穿的温度和厚度依赖性
作者:
C.H. Chen
;
W. C. Shih
;
H.L. Hwang
;
F. C. Chiu
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
33.
Advanced FinFET Technologies: Extension Doping, V_(th) Controllable CMOS Inverters and SRAM
机译:
先进的FinFET技术:扩展掺杂,V_(th)可控CMOS反相器和SRAM
作者:
Y. X. Liu
;
K. Endo
;
S. Ouchi
;
T. Matsukawa
;
K. Sakamoto
;
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会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
34.
Correlation of Negative Bias Temperature Instability and Breakdown in HflO_2/TiN Gate Stacks
机译:
HflO_2 / TiN栅堆叠中负偏置温度不稳定性和击穿的相关性
作者:
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《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
35.
Atomistic Guideline for MONOS-Type Memories with High Program/Erase Cycle Endurance
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具有较高程序/擦除周期耐久性的MONOS类型内存的原子性准则
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会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
36.
High-K Gate Dielectrics for Nanoscale CMOS Devices: Status, Challenges, and Future
机译:
用于纳米级CMOS器件的高K栅极电介质:现状,挑战和未来
作者:
Dae-Gyu Park
;
Xinlin Wang
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
37.
Statistical Low-Frequency Noise Model for MOSFETs under Large Signal Cyclo-Stationary Excitation
机译:
大信号循环平稳激励下MOSFET的统计低频噪声模型
作者:
Gilson Wirth
;
Roberto da Silva
;
Purushothaman Srinivasan
;
Ralf Brederlow
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
38.
Reliability Characteristics of D_2O-Radical Annealed ALD HfO_2 Dielectric
机译:
D_2O径向退火ALD HfO_2电介质的可靠性特征
作者:
C. H. Tu
;
F. C. Chiu
;
C. H. Chen
;
C. H. Hou
;
Z. J. Lee
;
H. W. Chen
;
S. Y. Chen
;
H.S. Huang
;
T. B. Wu
;
H. L. Hwang
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
39.
Quantitative Correlation between Low-Field Mobility and High-Field Carrier Velocity in Quasi-Ballistic-Transport MISFETs with High-k Gate Dielectrics
机译:
具有高k栅极介电层的准弹道传输MISFET中的低场迁移率和高场载流子速度之间的定量相关性
作者:
Kosuke Tatsumura
;
Masakazu Goto
;
Shigeru Kawanaka
;
Atsuhiro Kinoshita
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
40.
A Comparison of O_3 and H_2O as Oxygen Sources for Atomic Layer Deposition Processing of HfAlO_x Thin Films for High k Dielectric Nanocapacitor Applications
机译:
高k介电纳米电容器应用HfAlO_x薄膜原子层沉积处理中作为氧气源的O_3和H_2O的比较
作者:
R. S. Phillips
;
E. T. Eisenbraun
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
41.
Charge Pumping and Si-SiOj Interface Traps Electrical Characterization
机译:
电荷泵和Si-SiOj界面陷阱的电学表征
作者:
D. Bauza
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
42.
Design of a Novel Wet-Etch Reactor and Etch Chemistries: Simulations and Experimental Verification
机译:
新型湿法刻蚀反应器和刻蚀化学的设计:模拟和实验验证
作者:
Ashish A. Pande
;
Galit Levitin
;
David S. L. Mui
;
Dennis W. Hess
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
43.
Degradation in MOSFET Multi-Stack High-k Gate Dielectrics Due to Hot Carrier and Constant Voltage Stress
机译:
热载流子和恒定电压应力导致MOSFET多堆叠高k栅极介电层退化
作者:
Zeynep Celik-Butler
;
M. Shahriar Rahman
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
44.
Dielectric Properties and Flat-Band Voltages on Doped-HfO_2 Thin Films
机译:
掺杂HfO_2薄膜的介电性能和平带电压
作者:
F. Ducroquet
;
E. Rauwel
;
V. Brize
;
C. Dubourdieu
会议名称:
《》
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2010年
45.
Experimental Demonstration of Higher-k Phase HfO_2 through Non-equilibrium Thermal Treatment
机译:
非平衡热处理高k相HfO_2的实验证明
作者:
Yasuhiro Nakajima
;
Koji Kita
;
Tomonori Nishimura
;
Kosuke Nagashio
;
Akira Toriumi
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
46.
The Degradation of Thin Silicon Dioxide Films Subjected to Pulse Voltage Stresses at Nanoscale
机译:
纳米级的脉冲电压应力作用下二氧化硅薄膜的降解
作者:
You-Lin Wu
;
Jing-Jenn Lin
;
Sheng-Hsiang Chang
;
Chiung-Yi Huang
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
47.
An Electron-Beam-Induced Current Investigation of Electrical Defects in High-k Gate Stacks
机译:
电子束感应电流研究高k栅堆叠中的电气缺陷
作者:
J. Chen
;
T. Sekiguchi
;
N. Fukata
;
M. Takase
;
Y. Nemoto
;
R. Hasunuma
;
K. Yamabe
;
M. Sato
;
K. Yamada
;
T. Chikyow
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
48.
The Chemical Composition of Low Dielectric Constant Films from Ion Beam Scattering Methodologies
机译:
离子束散射法制备低介电常数薄膜的化学成分
作者:
C. L. Soles
;
H. Wang
;
R. J. Composto
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
49.
MgO tunnel barriers in magnetic nanostructures and devices
机译:
磁性纳米结构和装置中的MgO隧道势垒
作者:
R. Heindl
;
M. R. Pufall
;
W. H. Rippard
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
50.
PE-TEOS Wafer Bonding Enhancement at Low Temperature with a High-K Dielectric Capping Layer
机译:
具有高K介电盖层的PE-TEOS晶片在低温下的粘合增强
作者:
C. S. Tan
;
G. Y. Chong
会议名称:
《Dielectrics for nanosystems 4: Materials science, processing, reliability, and manufacturing》
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2010年
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