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一种用于单晶硅生长炉的热屏及单晶硅生长炉

摘要

本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉,所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部,所述热屏包括屏壁和屏底,所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口,所述屏底包括上层、下层和侧壁,所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口,所述下层朝向所述熔体的液面,所述下层设为齿状结构,用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁;通过将屏底的下层设置为齿状结构,可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收,从而避免晶体表面热补偿过高,有效优化晶体纵向温度梯度,提高硅片径向的质量均匀性。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-22

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/00 专利申请号:2020106296508 申请公布日:20201103

    发明专利申请公布后的驳回

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