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高度缩放的线性GaN HEMT结构

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摘要

一种晶体管包括衬底、耦合到衬底的沟道层、耦合到沟道层的源极、耦合到沟道层的漏极、以及在源极与漏极之间耦合到沟道层的栅极。栅极在靠近沟道层之处具有小于50纳米的长度尺寸，并且沟道层包括至少第一GaN层和在第一GaN层上的第一缓变AlGaN层。

公开/公告号CN111868931A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30

原文格式PDF
申请/专利权人 HRL实验室有限责任公司;
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申请/专利号CN201880088743.5
发明设计人文贞顺;安德里亚·科林;J·C·王;亚当·J·威廉姆斯;
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申请日2018-12-12
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/417(20060101);
代理机构11412 北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人于未茗
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 08:42:38

1. 高度缩放的线性GaN HEMT结构 [P] . 中国专利： CN111868931A . 2020-10-30
2. 一种GaN HEMT缩放模型电路拓扑结构 [P] . 中国专利： CN112417804A . 2021-02-26
3. Highly Scaled Linear GaN HEMT Structures [P] . 美国专利： US2019252535A1 . 2019-08-15

机译：大规模线性GaN HEMT结构
4. HIGHLY SCALED LINEAR GaN HEMT STRUCTURES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019160598A1 . 2019-08-22

机译：高比例线性GaN HEMT结构
5. Linear actuator and device for height adjustment of a vehicle structure with such a linear actuator [P] . DE102016213465B4 . 2021-04-22

机译：用这种线性致动器的车辆结构高度调节线性致动器和装置