公开/公告号CN111826714A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN202010733639.6
申请日2020-07-27
分类号C30B29/04(20060101);C30B25/02(20060101);C23C16/27(20060101);C23C16/517(20060101);
代理机构23213 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;
代理人侯静
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-06-19 08:41:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-05-12
专利权的转移 IPC(主分类):C30B29/04 专利号:ZL2020107336396 登记生效日:20230428 变更事项:专利权人 变更前权利人:哈尔滨工业大学 变更后权利人:哈尔滨工业大学资产经营有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更后权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街副434号哈尔滨工业大学国家大学科技园11层1107室 变更事项:专利权人 变更前权利人: 变更后权利人:朱嘉琦 代兵 杨磊 刘康 刘本建 李一村 赵继文
专利申请权、专利权的转移
机译: 异质外延晶体生长方法,异质外延晶体生长装置,异质外延晶体生长装置和半导体器件
机译: 异质外延单晶的制造方法,异质结太阳电池的制造方法,异质外延单晶的晶体,异质结太阳电池
机译: 基于砷化镓铟的外延晶片,使用该晶片的异质场效应晶体管以及制造该异质场效应晶体管的方法