一种顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法，由下至上依次为玻璃基底、沟道层、介质层、栅极，所述沟道层与介质层之间设置源电极和漏电极；所述沟道层为锌锡钛氧化物薄膜；所述介质层为有机聚合物多层膜；所述源电极和漏电极为金属铝薄膜；所述栅电极为金属铝薄膜；所述有机聚合物多层膜由上至下依次为非极性疏水聚合物薄膜、聚乙烯醇薄膜、非极性疏水聚合物薄膜；本发明所得的非晶氧化物薄膜晶体管为顶栅结构，不仅降低了生产成本，还避免了沟道层暴露于空气中，隔绝了沟道层与空气中氧分子和水分子的接触，进而提升了晶体管的稳定性以及延长了其使用寿命，同时保证了TFT的高迁移率和低能耗。