短波长深紫外LED外延结构、其P型层材料及制法与应用

摘要

本发明公开了一种短波长深紫外LED外延结构、其P型层材料及制法与应用。所述P型层材料具有AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构，所述AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构包括交替生长形成的AlxGa1‑xN势垒层和AlyGa1‑yN势阱层；其中，x＞y，0＜x≤1、0≤y＜1。本发明可以根据深紫外LED发光波长变化的需要，灵活调整超晶格结构势垒层和势阱层金属Al元素的合金比例参数x、y，能够同时兼顾到P型材料透光性能与空穴载流子浓度的提升。