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一种外扩Flash程序存储区扩展EDAC校验电路及读写方法

摘要

本发明公开了一种外扩Flash程序存储区扩展EDAC校验电路及读写方法,处理器接口与外扩FLASH中间增加总线驱动器、与门、或门以及非门用于实现对外扩FLASH2的读写操作;数据线D[0:7]和校验位PD[0:7]通过总线驱动器与FLASH的数据线连接,为防止数据线冲突,通过GPIO5、GPIO6以及与门、或门和非门组合逻辑来控制总线驱动器的OE使能端来选通;可应用于空间计算机小型化SIP模块内部FLASH外扩EDAC功能,该功能可有效提高FLASH作为程序存储区空间抗单粒子翻转能力,在满足整机功能性能的前提下,大幅度提高FLASH作为程序存储区在空间环境的抗单粒子翻转能力,并提高整机的可靠性,而且满足空间计算机设计标准化、小型化、国产化的需求。

著录项

  • 公开/公告号CN111679933A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安微电子技术研究所;

    申请/专利号CN202010507239.3

  • 申请日2020-06-05

  • 分类号G06F11/10(20060101);G06F3/06(20060101);G11C29/42(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人李鹏威

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

  • 入库时间 2023-06-19 08:19:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-31

    授权

    发明专利权授予

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