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一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器

摘要

本发明提供了一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体,所述可饱和吸收体包括光波导以及设置在所述光波导表面的锡原子插层的三氧化钼纳米材料。本发明基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体中,α‑MoO3的本征带隙可以通过金属Sn插层有效地调节,插层原子能在不干扰α‑MoO3本征结构的情况下,引起晶格变化、缺陷和电荷不平衡,从而减小带隙。Sn插层的超薄α‑MoO3纳米带,形成了稳定的Mo‑O‑Sn‑O‑Mo结构,插层后Sn‑MoO3具有明显的非线性饱和吸收强度、高光损伤阈值、高调制深度。本发明还提供了一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体的制备方法和激光器。

著录项

  • 公开/公告号CN111653929A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳瀚光科技有限公司;

    申请/专利号CN202010340733.5

  • 发明设计人 林佳玫;

    申请日2020-04-26

  • 分类号H01S3/098(20060101);H01S3/067(20060101);C01G39/02(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构44679 广州专才专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人林玲

  • 地址 518027 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301号银星科技大厦D1001

  • 入库时间 2023-06-19 08:14:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 3/098 专利申请号:2020103407335 申请公布日:20200911

    发明专利申请公布后的驳回

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