一种二硒化钯可饱和吸收体薄膜及其制备方法和基于该薄膜的锁模光纤激光器

摘要

本发明属于被动锁模超快光纤激光器技术领域，公开了一种二硒化钯可饱和吸收体薄膜及其制备方法和基于该薄膜的锁模光纤激光器。本发明研究出了一种采用简单硒化的方法在石英衬底上制备PdSe2薄膜的方法，以及基于该材料的掺镱锁模光纤激光器系统的搭建方法。本发明用磁控溅射法在石英衬底上简单硒化制备PdSe2薄膜，然后采用干转移法制备出可以直接用作可饱和吸收体的PdSe2/PS薄膜转移到光纤光路系统中作为可饱和吸收体产生皮秒级的超短脉冲激光。本发明二硒化钯可饱和吸收体薄膜制备方法简单，可实现工业化生产，而且在测试中该材料的超短脉冲序列均匀，性能稳定。