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公开/公告号CN111613522A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 西北工业大学;
申请/专利号CN202010384034.0
发明设计人 甘雪涛;毛博;
申请日2020-05-08
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/30(20060101);
代理机构61204 西北工业大学专利中心;
代理人王鲜凯
地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号
入库时间 2023-06-19 08:08:08
机译: 使用原子过渡金属双硫族化物(TMDC)和包括TMDC的光子器件电控制光子的方法
机译: -2种用于二维平面电子器件的掺杂过渡金属硫族化合物图案化的结构及其电极的制造方法
机译: 包含过渡金属或稀土金属固溶体的透明铁磁性碱/硫族化物化合物及其铁磁性调节方法
机译:集成柔性硫族化物玻璃光子器件
机译:一种简便,通用的自顶向下制备单分散过渡金属硫族硫化物纳米点的方法
机译:APS -2017 APS中大西洋部分的年会 - 事件 - 金属 - 金属粘合和5D过渡金属硫族化合物中的相变
机译:单层过渡金属硫族化合物中圆偏振光激发下的高阶边带生成
机译:硫族化物玻璃中的光诱导光学集成电路和体光子器件。
机译:利用硫族化物薄膜的偏振选择模式整形来增强基于石墨烯的集成光学器件的性能
机译:用于VIB族过渡金属二硫族化合物单层的三带紧密结合模型
机译:双阴离子羰基化合物与杂环化合物的反应:第6族和第8族羰基化合物还原羰基硫化物,硫代异氰酸酯,异氰酸酯和碳二亚胺