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一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法

摘要

本发明涉及一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法,将过渡金属前驱物放置在石英舟内,硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上;将硫族元素前驱物置于管式炉石英管内。通过利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物,可将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成,且材料层数可控,光学和电学特性良好。该方法极大地优化了工艺流程,节省了工艺成本,适合于规模化生产集成有过渡金属硫族化合物的微纳光子器件。

著录项

  • 公开/公告号CN111613522A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北工业大学;

    申请/专利号CN202010384034.0

  • 发明设计人 甘雪涛;毛博;

    申请日2020-05-08

  • 分类号H01L21/02(20060101);C23C16/30(20060101);

  • 代理机构61204 西北工业大学专利中心;

  • 代理人王鲜凯

  • 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号

  • 入库时间 2023-06-19 08:08:08

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