一种高频氮化镓肖特基二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高频氮化镓肖特基二极管外延片及其制备方法，所述高频氮化镓肖特基二极管外延片的结构从下往上依次包括：衬底层、AlN成核层、InAlN成核层、下层非故意掺杂GaN层、上层非故意掺杂GaN层、n+‑GaN重掺层和AlGaN极化轻掺层。本方案在AlN成核层中引入源的分时输运工艺，促进AlN成核岛的横向合并，显著提升外延材料的晶体质量，同时引入晶格常数更大的InAlN成核层，并通过InAlN成核层、AlN成核层和上层非故意掺杂GaN层的压应力补偿，有效补偿掉n+‑GaN重掺层生长及降温期间的张应力增量，实现了对圆片应力的有效控制。因此，能够大幅增加n+‑GaN重掺层的掺杂浓度，有效降低GaN SBD的寄生串联电阻、提升GaN SBD等高频器件的截止频率和工作效率。