多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路

摘要

本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路。该多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：第一数据存储单元和第二数据存储单元；第一参考电流源和第二参考电流源；锁存比较器包括第一数据端和第二数据端，第一数据端的数据和第二数据端的数据互为反码；第一控制单元用于根据控制信号控制第一数据存储单元的数据节点或第一参考电流源的输入端，与第一数据端导通；第二控制单元用于根据控制信号控制第二数据存储单元的数据节点或第二参考电流源的输入端，与第二数据端导通。本申请可以解决相关技术中难以测量双单元结构的多次可编程EEPROM单元结构中存储位元的电压裕度问题。