公开/公告号CN111983952A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉瑞纳捷电子技术有限公司;
申请/专利号CN202010799394.7
申请日2020-08-11
分类号G05B19/042(20060101);
代理机构44316 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人魏毅宏
地址 430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港一路7号光谷智慧园15栋01号楼
入库时间 2023-06-19 08:04:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-11
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G05B19/042 专利申请号:2020107993947 申请公布日:20201124
发明专利申请公布后的驳回
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: PVT一种根据PVT工作条件变化来优化电路性能的芯片设计方法
机译: 高密度标准单元的结构设计方法及超大规模集成电路芯片的宏单元布局