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GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路

摘要

公开了GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路。该电路包括配置为供应第一电源电压的自举电源电压发生器,并且包括开关节点。该电路还包括自举晶体管、自举晶体管驱动电路以及与开关节点和自举晶体管连接的自举电容器。自举电容器被配置为在开关节点处的电压等于第二开关节点电压时供应第一电源电压,自举晶体管被配置为在开关节点处的电压等于第一开关节点电压时将自举电容器与处于第二电源电压的电源节点电连接,并且自举电源电压发生器不包括与自举晶体管的漏极和源极并联的独立二极管。

著录项

  • 公开/公告号CN111799992A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纳维达斯半导体公司;

    申请/专利号CN202010267078.5

  • 发明设计人 S·夏尔马;D·M·金策;

    申请日2020-04-07

  • 分类号H02M1/08(20060101);H02M1/088(20060101);H03K17/081(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人沈锦华

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 08:00:20

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