机译:栅极驱动器的单片集成和P-GaN功率HEMT为MHz开关,通过E模式GAN-On-SOI过程实现
机译:具有大功函数栅极金属的高性能基于纳米线的E模式功率GaN MOSHEMT
机译:包含D模式和E模式HEMT的单片InAlN / GaN NAND和NOR逻辑单元的器件和电路模型
机译:基于GaN的NMOS数字逻辑门电路与E模式功率GaN MOSHEMT的单片集成
机译:GaN基传感器和高频电力电子的器件技术和集成。
机译:具有CRISPR-dCas9或非门的酵母中的数字逻辑电路
机译:基于NMOS样RRAM门的逻辑电路的合成方法