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一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

摘要

本发明公开一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法,本方法在SSD自带的DDR中开辟一部分空间,用来保存每个块的读次数,当SSD在读取NAND Flash的某个页的同时把对应的DDR地址中的值加1,在当前页读取操作结束时以一定概率检查当前块的读次数,如果读次数达到设定阈值时,将读取到的数据从Read Buffer拷贝到Write Buffer,并修改映射表,最终将数据写到NAND Flash的新地址,如果读次数达到需要处理的最大值,则将该块中剩余的有效数据全部搬走。本方法对数据搬移操作做平滑处理,避免某一时刻集中触发整个块数据搬移,既能消除读干扰对数据的影响,也能保证SSD的整体性能不会产生大的波动。

著录项

  • 公开/公告号CN111797033A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东华芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202010578849.2

  • 发明设计人 刘凯;王璞;吴斌;

    申请日2020-06-23

  • 分类号G06F12/02(20060101);

  • 代理机构37218 济南泉城专利商标事务所;

  • 代理人赵玉凤

  • 地址 250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层

  • 入库时间 2023-06-19 08:00:20

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