一种穿通型IGBT的制造方法

摘要

本发明提供一种穿通型IGBT的制造方法，步骤如下：提供一个n‑型硅晶圆，制成IGBT表面MOS结构；对IGBT的背面进行减薄；导入n+缓冲层，在100keV以下的加速电压的条件下，对IGBT背面进行离子注入；导入p+集电极层，通过溅射工艺，将含有高浓度硼掺杂的多晶硅层附着于IGBT背面；IGBT背面退火，应用激光退火工艺对IGBT进行退火处理，促进n+缓冲层与p+集电极层的形成；形成背面集电极金属电极层。本发明通过激光退火处理，在p+集电极层中，能够得到掺杂的分布十分均匀，能使多晶硅p+集电极层再结晶，使原有溅射层的多晶硅的形态将更接近于单晶硅，提高p+集电极层的空穴的注入效率，从而降低导通电阻。