法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-06
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):B01J27/051 申请公布日:20181214 申请日:20180813
发明专利申请公布后的撤回
2019-01-08
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J27/051 申请日:20180813
实质审查的生效
2018-12-14
公开
公开
机译: 用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
机译: 原子层沉积法用卤化物元素部分掺杂氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制造卤素掺杂源的方法,使用卤化物掺杂源部分掺杂氧化物的薄膜和原子层沉积膜的方法掺杂有方法
机译: 卤素掺杂源,其在原子层沉积中可以用卤素掺杂氧化物膜的一部分,通过制造掺杂源的卤素方法,并通过利用卤素源原子层沉积卤素掺杂的氧化物膜部分,氧化物薄膜用掺杂卤素的方法和工艺形成