基于场板结构的AlGaN或GaN紫外雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于场板结构的AlGaN或GaN紫外雪崩光电探测器，包括一AlGaN或GaN APD器件，AlGaN或GaN APD器件的两侧形成角度在15°‑30°的斜坡，斜坡上设置有金属场板，所述场板覆盖结区，与p型电极相连，与n型电极不相连。还公开了其制备方法。本发明利用厚膜光刻胶回流的方法，在AlGaN APD器件上形成平缓的倾斜侧壁。利用倾斜侧壁，可以控制场板在侧壁上延伸的长度，既能实现对结区的覆盖，又不超过有效范围，进而发挥场板、绝缘层、半导体之间的MOS效应，扩展器件结区的耗尽区宽度，抑制器件结区的峰值电场。