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机译:基于Algan的P-I-P-I-N太阳盲紫外线雪崩光电探测器,具有调制偏振电场
Wuxi Inst Technol Sch Automobile Transportat Wuxi 214121 Jiangsu Peoples R China;
Shandong Polytech Coll Dept Publ Course Teaching Jining Peoples R China;
Wuxi Inst Technol Sch Automobile Transportat Wuxi 214121 Jiangsu Peoples R China;
AlGaN; avalanche photodiodes; front-illuminated; polarization electric field; solar-blind ultraviolet;
机译:基于偏振渐变的AlgaN的太阳盲紫外线光电探测器的外延生长
机译:基于Algan的太阳盲紫外光探测器和焦平面阵列的进展
机译:通过MOCVD对基于后照射的Algan的太阳盲紫外光探测器的ALN模板的优化生长
机译:展示具有大检测面积的均匀且可靠的GaN p-i-p-i-n分离吸收和倍增紫外雪崩光电二极管阵列
机译:太阳盲紫外光电探测器,焦平面阵列和可见盲雪崩光电二极管。
机译:基于Algan的太阳盲紫外光探测器和焦平面阵列的进展
机译:具有高击穿电压和探测能力的日盲AlGaN基p-i-n光电探测器