公开/公告号CN108962982A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201810843254.8
申请日2018-07-27
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/43(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 07:37:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 申请日:20180727
实质审查的生效
2018-12-07
公开
公开
机译: 具有不均匀掺杂的垂直沟道的短栅隧穿场效应晶体管及其制造方法
机译: 具有非均匀掺杂垂直沟道的短栅隧穿场效应晶体管及其制造方法
机译: 用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值