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半导体装置、包含其的电子电路以及半导体装置形成方法

摘要

本发明涉及半导体装置、包含其的电子电路以及半导体装置形成方法。一种半导体装置包括:形成在第一层中并且指示固定电势的多个第一导线;以及形成在堆叠于第一层上的第二层中的电感器,并且在平面图中,多个第一导线中的位于电感器的形成区域的范围内的第一导线的布线宽度被形成为比位于电感器的形成区域的范围之外的第一导线的布线宽度窄。

著录项

  • 公开/公告号CN108695251A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞萨电子株式会社;

    申请/专利号CN201810296240.9

  • 发明设计人 内田慎一;

    申请日2018-04-04

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人李辉

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 06:50:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/822 申请日:20180404

    实质审查的生效

  • 2018-10-23

    公开

    公开

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