窒素大気圧プラズマで活性化したAuバンプによる半導体レーザ素子の低温接合

摘要

近年，大気圧プラズマは表面洗浄·表面改質に広く用いられている．酸素を用いた大気圧プラズマが一般的に用いられるが，Auに対しては表面にAu_2O_3が形成され，接合を阻害することが確認されている．超音波接合の前処理に窒素大気圧プラズマを用いることで接合強度が改善されることが報告されているが，詳しいメカニズムは明らかにされていない．そこで本研究では，より簡易な接合プロセスを確立するため，汎用ガスである窒素を用いた大気圧プラズマを表面活性化に適用し，表面活性化から接合まですべて大気中で行える半導体レーザ（Laser diode：LD）素子の低温接合法を検討した．また窒素大気圧プラズマと酸素プラズマを比較することで，より詳しいメカニズムの解明を試みた．