低温下Ⅳ—Ⅴ族半导体P—N结的V*vF8—T特性

摘要

在4—300K的温区里，对正向恒定电流为10μA的几种GaAs、GaAsP、GaP二极管，进行了正向电压V[*vF*]温度特性的测量。结果表明，低温下这类二极管可用作宽温区的测量探头。Dz管的性能优于其它的二极管。该文对实验结果作了讨论。（本刊录）