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公开/公告号CN108611618A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 陕西师范大学;
申请/专利号CN201810817871.0
发明设计人 高斐;高蓉蓉;武鑫;王昊旭;雷婕;
申请日2018-07-23
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/08(20060101);
代理机构61201 西安永生专利代理有限责任公司;
代理人高雪霞
地址 710062 陕西省西安市长安南路199号
入库时间 2023-06-19 06:44:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20180723
实质审查的生效
2018-10-02
公开
机译: 磁控溅射膜沉积装置,磁控溅射膜沉积方法以及使用该方法制造的膜成员
机译: 用于溅射沉积源的磁性装置,磁控溅射沉积源以及利用磁控溅射沉积源在基板上沉积膜的方法
机译: 具有多重磁极的磁控溅射膜沉积系统及其膜沉积方法
机译:采用液面自组织的方法在洁净的玻璃片表面铺设单层六方密排的聚苯乙烯胶体球阵列,通过改变等离子 刻蚀的时间实现对胶体小球的直径控制,结合离子溅射Au膜和磁控溅射MoO2膜,最终构筑成为一种新颖的MoO2/Au微纳阵列结构,利用扫描电镜对所合成材料进行形貌表征;同时重点利用接触角测量仪对 微纳阵列薄膜的浸润性进行研究,分析水在微纳阵列表面所形成的接触角的角度变化,结果显示沉积 MoO2/Au微纳阵列比相应的Au微纳阵列更加亲水,有利于材料在水溶液中进行电化学反应。
机译:高功率脉冲磁控溅射在氧化铁膜沉积期间反应性氧物种的影响
机译:斜靶直流磁控溅射沉积具有金字塔状纳米结构的铁膜的结构和磁性
机译:RF和DC磁控溅射沉积铁,IZO和GO膜的内应力
机译:溅射参数对RF磁控溅射沉积ITO膜的影响
机译:磁控溅射沉积非晶碳膜的基体温度相关的微观结构和电子诱导的二次电子发射特性
机译:通过磁控溅射沉积的铁掺杂锂钽膜薄膜:对结构和衍生磁性的铁作用的研究
机译:溅射沉积的氧化铁薄膜的溶解用作铁上钝化膜的模型