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一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法

摘要

本发明公开了一种磁控溅射沉积钴膜和氧化钴膜的方法,通过在靶枪和钴靶中间安插一定厚度的非铁磁性的金属圆片,如铜圆片、铝圆片等,来降低钴靶的磁屏蔽效应,从而可成功地溅射沉积钴膜及氧化钴膜。本发明方法操作简单,制得的钴膜及氧化钴膜致密,且均匀性好,与基底的结合力好。

著录项

  • 公开/公告号CN108611617A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西师范大学;

    申请/专利号CN201810808961.3

  • 发明设计人 高斐;高蓉蓉;武鑫;王昊旭;雷婕;

    申请日2018-07-23

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/08(20060101);

  • 代理机构61201 西安永生专利代理有限责任公司;

  • 代理人高雪霞

  • 地址 710062 陕西省西安市长安南路199号

  • 入库时间 2023-06-19 06:44:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20180723

    实质审查的生效

  • 2018-10-02

    公开

    公开

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