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公开/公告号CN108611617A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 陕西师范大学;
申请/专利号CN201810808961.3
发明设计人 高斐;高蓉蓉;武鑫;王昊旭;雷婕;
申请日2018-07-23
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/08(20060101);
代理机构61201 西安永生专利代理有限责任公司;
代理人高雪霞
地址 710062 陕西省西安市长安南路199号
入库时间 2023-06-19 06:44:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-30
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20180723
实质审查的生效
2018-10-02
公开
机译: 形成氧化钴转化膜的方法及制备氧化钴转化膜的水溶液
机译: 一种方法是在glasunderlag和filmdannende溶液上形成薄的,透明的金属氧化膜,该膜包含至少25重量%的氧化钴,以实施该方法。
机译: 磁控溅射膜沉积装置,磁控溅射膜沉积方法以及使用该方法制造的膜成员
机译:从BF2环氧化钴肟前体上电沉积具有纳米带结构的绿色氧化钴(CoO_x)膜,以进行有效的水氧化
机译:电化学沉积氧化钴膜上的电催化氧放出:与热沉积膜的比较和热处理效果
机译:纳米纤维和磁控溅射衬底上氧化钴膜的伪电容行为
机译:水氧化氧化钴膜的结构及其与光合锰配合物的比较
机译:氢氧化镍和氢氧化钴膜的恒电流沉积。
机译:磁控溅射沉积非晶碳膜的基体温度相关的微观结构和电子诱导的二次电子发射特性
机译:通过MOCVD沉积钴膜和氧化钴/氧化锌Miultilayers
机译:用于原位表征金刚石膜沉积过程的脉冲离子束方法