一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法

摘要

本发明涉及ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法，先在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；然后将Zn粉、ZnO粉、石墨和掺杂源混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放在水平管式炉反应室中，石英舟开口端处于气流的下方向，反应室抽真空，源材料加热到550～650℃，向反应室通入Ar或N₂为载气，O₂为反应气体，保温生长下层ZnO纳米棒阵列；停止通入气体，继续升温至850～950℃，通入载气和O₂，保温生长上层ZnO纳米棒阵列，形成ZnO纳米同质p-n结阵列。本发明方法仅由一次升温过程完成，简单易行，可实现不同掺杂的ZnO纳米同质p-n结阵列，同质结高度一致，性能优异，尺寸均一，分布均匀，有利于提高ZnO纳米器件的特性。