p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

许小亮; 杨晓杰; 付竹西

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p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

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ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题.

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来源
《功能材料》|2003年第2期|121-125|共5页
作者
许小亮; 杨晓杰; 付竹西;
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作者单位

中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;P-N结;
关键词
ZnO; 同质p-n结; 激光器件;
入库时间 2022-08-17 16:31:50

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