激光器件

摘要： 大族激光高功率元器件产品群(以下简称“大族激光”或“公司”)包含五家子公司,其中大族光子、大族智控、大族光聚、大族光浦是大族激光全资子公司,加拿大CorActive是大族激光控股子公司。大族激光对进军全球激光器件领先队列进行了重要布局,具备从高功率光纤激光器、聚焦头、全套智能控制解决方案到泵浦源、特种光纤在内的元器件核心技术研发、应用垂直整合能力;能够定制用户所需要的元器件及软件,提供相应的技术支持和培训,与合作伙伴建立战略合作关系,根据客户的需求参与深度的个性化开发,协助用户实现产品及装备价值最大化。

摘要： 第三代新型半导体材料是支撑5G通信技术、新能源汽车和光电应用等领域发展的核心材料.为了激发学生对科学探索的兴趣,设计了双异质结薄膜制备及激光器件特性表征的综合实验.该实验包括利用化学有机气相沉积技术制备双异质结薄膜、泵浦激光器件制作及光电性能表征等,实验内容新颖,涵盖知识点丰富.实践证明,综合实验让学生在实验方案设计、实验设备操作、数据处理分析和科研论文撰写等方面的能力得到显著提升.

摘要： 激光技术实现了将光束紧密聚焦在一起的效果。激光器件激发和释放光子，这些光粒子聚焦于镜子，并以单色光束发射。通过光子不断振动，激光束变得高度集中和强大，简而言之，它们看起来好像可以永远持续下去。对于“深网”（Deep Web）装置，艺术家选择创造相反的效果，通过将发光球体设置成无限延伸的激光光束，从而在洞穴般的黑暗中创造出引人入胜的雕塑般的灯光绘画。

摘要： 随着电子信息技术的快速发展,目前,半导体光学器件在生产和生活领域应用范围不断拓宽,利用半导体光学技术的新型设备不断涌现,本文主要探讨半导体激光光源和激光接收器.

摘要： 有机无机杂化钙钛矿由于其独特的光、电、磁性能以及制备工艺简单、成本低等特点,一直备受关注,特别是自2009年第一次将其应用于太阳能电池以来,钙钛矿太阳能电池的能量转换效率由3.8%迅速上升到目前的20.1%[1],并且钙钛矿在二极管和激光器件等领域也受到了广泛关注.在这些器件中,钙钛矿活性材料是其核心部分,钙钛矿膜的好坏是影响器件性能的关键因素,因此,

摘要： 于有机微纳晶激光材料与器件研究领域,他的脚步无疑是稳健而坚实的。多年来,对学术研究的浓厚兴趣,驱使他一如既往地在有机微纳晶激光领域探索,并沉醉其中。他就是首都师范大学化学系教授廖清。搞科研,他认真严谨、力求创新;当导师,他民主开放、尚学尚新。在不同的角色中,廖清以深厚的学术功底,精深的研究和敏锐的洞察力,描绘着自己的科研人生。

摘要： 探索发现性能优异的深紫外非线性光学晶体一直是功能材料研究领域的热点。三硼酸锂（LBO）晶体是中国科学院福建物质结构研究所发现的一种优秀的紫外无机非线性光学晶体,具有生长晶体尺寸大、光学质量好、透光范围宽、倍频系数大和损伤阈值高等优点,是目前应用于高功率固体激光器件的最佳倍频晶体材料。但是由于LBO晶体的双折射率偏小,使之难以通过相位匹配技术直接倍频产生深紫外相干光源。

摘要： 正厦门大学自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的"秘诀"在于材料纯度和结构质量高,通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射,从而大大提升激光器件的发光

摘要： 厦大自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的”秘诀“在于材料纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。近期，相关研究成果刊登在《自然》出版集团旗下的在线开放刊物《科学报道》上。

摘要： 研制了一种高均匀性、小型化的法拉第磁光隔离器,用于780 nm波长的光路中,并对设计方案进行了数值模拟和验证。采用了新颖的三段式"π"形磁体的组合设计方案,提高了剩磁利用率.隔离器整体体积为52 cm^3,其中磁体体积为18 cm^3,是相当小的。它的通光孔径为5 mm,隔离比为34.6 dB,透过率为90.9%。与之类似的"Ⅱ"型磁体体积更小,磁场均匀性稍差,也是可行的设计方案。成品隔离器比商用隔离器磁场均匀度更高,体积更小,隔离比更高,可以有效满足研发中的冷原子平台的小型化、高精度需求。

摘要： 激光雷达的发展，受制于激光器件和探测器件的发展。激光雷达的装备化，需要系统中位和器件中位的通力合作。因而，在这些方面仍需继续努力。本文介绍了激光雷达技术，以及激光雷达的未来运用领域。

摘要： 近年来,硼酸盐晶体在非线性光学领域以及激光领域获得了非常重要的应用.由于硼酸盐晶体具有较大非线性光学效应、高的抗光损伤阈值、稳定的物化性能,因此,探索新的硼酸盐非线性光学晶体的工作仍然在广泛开展.La2CaB10O19(简称LCB)晶体是一种新的硼酸盐非线性光学晶体,其有效倍频系数为1.05pm/V,并且物化性能稳定,硬度适中(6.5Mohs),不潮解,Ⅰ型相位匹配LCB晶体的通光长度为3mm时,转换效率可以达到25％,同时掺有稀土激活离子的LCB晶体可以作为激光非线性光学复合功能器件,具有广泛的应用前景。本文研究 CaO-Li2O-B2O3作为助熔剂生长La2CaB10O19单晶。

摘要： 近年来,硼酸盐晶体在非线性光学领域以及激光领域获得了非常重要的应用.由于硼酸盐晶体具有较大非线性光学效应、高的抗光损伤阈值、稳定的物化性能,因此,探索新的硼酸盐非线性光学晶体的工作仍然在广泛开展.La2CaB10O19(简称LCB)晶体是一种新的硼酸盐非线性光学晶体,其有效倍频系数为1.05pm/V,并且物化性能稳定,硬度适中(6.5Mohs),不潮解,Ⅰ型相位匹配LCB晶体的通光长度为3mm时,转换效率可以达到25％,同时掺有稀土激活离子的LCB晶体可以作为激光非线性光学复合功能器件,具有广泛的应用前景。本文研究 CaO-Li2O-B2O3作为助熔剂生长La2CaB10O19单晶。

摘要： 近年来,硼酸盐晶体在非线性光学领域以及激光领域获得了非常重要的应用.由于硼酸盐晶体具有较大非线性光学效应、高的抗光损伤阈值、稳定的物化性能,因此,探索新的硼酸盐非线性光学晶体的工作仍然在广泛开展.La2CaB10O19(简称LCB)晶体是一种新的硼酸盐非线性光学晶体,其有效倍频系数为1.05pm/V,并且物化性能稳定,硬度适中(6.5Mohs),不潮解,Ⅰ型相位匹配LCB晶体的通光长度为3mm时,转换效率可以达到25％,同时掺有稀土激活离子的LCB晶体可以作为激光非线性光学复合功能器件,具有广泛的应用前景。本文研究 CaO-Li2O-B2O3作为助熔剂生长La2CaB10O19单晶。

摘要： 近年来,硼酸盐晶体在非线性光学领域以及激光领域获得了非常重要的应用.由于硼酸盐晶体具有较大非线性光学效应、高的抗光损伤阈值、稳定的物化性能,因此,探索新的硼酸盐非线性光学晶体的工作仍然在广泛开展.La2CaB10O19(简称LCB)晶体是一种新的硼酸盐非线性光学晶体,其有效倍频系数为1.05pm/V,并且物化性能稳定,硬度适中(6.5Mohs),不潮解,Ⅰ型相位匹配LCB晶体的通光长度为3mm时,转换效率可以达到25％,同时掺有稀土激活离子的LCB晶体可以作为激光非线性光学复合功能器件,具有广泛的应用前景。本文研究 CaO-Li2O-B2O3作为助熔剂生长La2CaB10O19单晶。

摘要： 近年来,硼酸盐晶体在非线性光学领域以及激光领域获得了非常重要的应用.由于硼酸盐晶体具有较大非线性光学效应、高的抗光损伤阈值、稳定的物化性能,因此,探索新的硼酸盐非线性光学晶体的工作仍然在广泛开展.La2CaB10O19(简称LCB)晶体是一种新的硼酸盐非线性光学晶体,其有效倍频系数为1.05pm/V,并且物化性能稳定,硬度适中(6.5Mohs),不潮解,Ⅰ型相位匹配LCB晶体的通光长度为3mm时,转换效率可以达到25％,同时掺有稀土激活离子的LCB晶体可以作为激光非线性光学复合功能器件,具有广泛的应用前景。本文研究 CaO-Li2O-B2O3作为助熔剂生长La2CaB10O19单晶。

摘要： 简述历史上的正交偏振激光器:塞曼激光和四频环形激光器,它们输出正交圆(或线)偏振激光,重点是激光实验、现象及其应用新知识.这些新知识是对激光原理的较全面的补充和发展。

摘要： 简述历史上的正交偏振激光器:塞曼激光和四频环形激光器,它们输出正交圆(或线)偏振激光,重点是激光实验、现象及其应用新知识.这些新知识是对激光原理的较全面的补充和发展。

摘要： 简述历史上的正交偏振激光器:塞曼激光和四频环形激光器,它们输出正交圆(或线)偏振激光,重点是激光实验、现象及其应用新知识.这些新知识是对激光原理的较全面的补充和发展。

摘要： 简述历史上的正交偏振激光器:塞曼激光和四频环形激光器,它们输出正交圆(或线)偏振激光,重点是激光实验、现象及其应用新知识.这些新知识是对激光原理的较全面的补充和发展。

摘要： 一种制造激光器二极管器件的方法，该器件具有：电绝缘的外壳基体(1)和电连接导体(5a，5b)，该电连接导体从外壳基体(1)中引出并且可以从外壳基体(1)之外接近。外壳基体(1)由可透过激光器二极管器件所发出的激光束的材料制成，并包括芯片安装部位(3)。激光器二极管器件的射束轴穿过外壳基体(1)。此外，本发明还涉及一种这样方法制造的壳体和具有这种类型的壳体的激光器二极管器件。

摘要： 提出一种半导体激光器器件，具有：‑半导体芯片(1)，其设计为发射激光辐射(6)，‑包覆部(2)，其是电绝缘的并且局部覆盖半导体芯片(1)，和‑连接层(3)，其将半导体芯片(1)与第一连接部位(43a)导电地连接，其中‑半导体芯片(1)包括覆盖面(1a)、底面(1b)、第一端面(1c)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)，‑第一端面(1c)设计为耦合输出激光辐射(6)，‑包覆部(2)至少局部在覆盖面(1a)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)处覆盖半导体芯片(1)，以及‑连接层(3)在包覆部(2)上从覆盖面(1a)伸展至第一连接部位(43a)。

摘要： 一种制造激光器二极管器件的方法，该器件具有：电绝缘的外壳基体(1)和电连接导体(5a，5b)，该电连接导体从外壳基体(1)中引出并且可以从外壳基体(1)之外接近。外壳基体(1)由可透过激光器二极管器件所发出的激光束的材料制成，并包括芯片安装部位(3)。激光器二极管器件的射束轴穿过外壳基体(1)。此外，本发明还涉及一种这样方法制造的壳体和具有这种类型的壳体的激光器二极管器件。

摘要： 提出一种半导体激光器器件，具有：‑半导体芯片(1)，其设计为发射激光辐射(6)，‑包覆部(2)，其是电绝缘的并且局部覆盖半导体芯片(1)，和‑连接层(3)，其将半导体芯片(1)与第一连接部位(43a)导电地连接，其中‑半导体芯片(1)包括覆盖面(1a)、底面(1b)、第一端面(1c)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)，‑第一端面(1c)设计为耦合输出激光辐射(6)，‑包覆部(2)至少局部在覆盖面(1a)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)处覆盖半导体芯片(1)，以及‑连接层(3)在包覆部(2)上从覆盖面(1a)伸展至第一连接部位(43a)。

摘要： 根据用于制造半导体激光器元件(100)的这个方法，切割导向槽(104)形成在生产基板(110)的表面上，其中，在具有半极性平面(1a)的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板(1)上形成包括发光层(14)的外延层(2)。沿着位于共振器端面侧(102，103)的半导体激光器器件(100)的划线(BL1)延伸并且具有V型横截面的切割导向槽(104)形成在位于划线(BL1)上并且包括半导体激光器器件(100)的至少一个拐角的局部区域中。沿着划线(BL1)切割具有形成在其上的切割导向槽(104)的生产基板(110)。

摘要： 公开了以驱动电流输出端子输出的驱动电流来驱动半导体激光器的半导体激光器驱动器件。所述半导体激光器驱动器件包括：驱动电流监控端子，其配置为输出具有所述驱动电流的1/α的值的驱动电流监控电流；电流-电压转换电阻器，其与驱动电流监控端子相连接，并且配置为将具有所述驱动电流的1/α的值的驱动电流监控电流转换成对应的驱动电流监控电压；以及检测器，其配置为产生参考电压并且检测所述对应的驱动电流监控电压是否已经达到该参考电压。

摘要： 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层。

摘要： 本申请实施例提供的激光器件和激光器件的制作方法，包括基板以及形成于基板上的层叠设置的第一外延层组，在第一外延层组中包括通过离子注入所形成的N型掺杂层，该N型掺杂层呈环形状且内部形成一窗口。并且，在第一外延层组上还形成有第二外延层，在第一外延层组和第二外延层中，包含一由所述窗口的边缘分别向第一外延层组的方向和第二外延层的方向延伸后所形成的流通通道，电流从该流通通道流通。该激光器件中，利用离子注入所形成的N型掺杂层代替传统的激光器件中通过外延沉积所形成的N型半导体层，简化了制作工艺上的复杂性，且由于该N型掺杂层直接采用离子注入层级中所形成，最终形成的激光器件的表面不具有凸起或凹槽，表面平整。

摘要： 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层的。

摘要： 本发明涉及半导体激光器件和半导体激光器件制造方法。所述半导体激光器件能够可靠地抑制由于界面氧化和畸变出现而导致的端面劣化。所述半导体激光器件设置有具有相互面对的谐振器端面（108、109）的激光结构部（107），还设置有形成于所述相互面对的谐振器端面中的至少一者上的保护膜（110、120）。所述保护膜（110、120）是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器端面相接触的那一侧起包含非晶层（111、121）和多晶层（112、122）。