一种硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用

摘要

本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。