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公开/公告号CN108572512A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201711188432.X
发明设计人 申铉振;宋伣在;李珉贤;赵连柱;
申请日2017-11-24
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人金拟粲
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 06:38:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-31
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/62 申请日:20171124
实质审查的生效
2018-09-25
公开
机译: 用于包括该掩模版的光掩模掩模版的盒和用于光刻的曝光设备
机译: 用于光掩模掩模版的薄片,包括相同和曝光的光刻设备
机译:预测用于预生产和生产曝光工具的极紫外光刻掩模版的热机械变形
机译:连续气体膨胀,用于光刻设备中的掩模版卸载
机译:高透射防护膜,用于极紫外光刻掩模版保护
机译:用于离子投影光刻的硅开口模版掩模应力确定的膜凸出方法的改进
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:采用双面(结构化)光掩模制作硅通孔制造的优化光刻工艺,用于掩模对准器光刻
机译:用于X射线光刻掩模的金刚石膜。阶段2。