首页> 中国专利> 一种快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路

一种快速批量精确测试MOS器件热载流子注入效应的电路

摘要

本发明公开了一种快速精准MOS器件热载流子测试结构,包括两个相同的相邻器件(6),通过电流差分放大器,滤除温度影响,包括使用多组一样的器件取均值,降低工艺不均匀性带来的影响,包括使用多级缓冲器连接焊盘与栅极,增加驱动能力,可以使用交流应力进行测试,包括使用译码器对不同测试模块进行片选,复用不同模块的焊盘。

著录项

  • 公开/公告号CN108549002A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201810192716.4

  • 发明设计人 张铭;

    申请日2018-03-09

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 06:31:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-18

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号