退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN108549002A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201810192716.4
发明设计人 张铭;
申请日2018-03-09
分类号
代理机构
代理人
地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 06:31:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-18
公开
机译: LDMOS元件的热载流子注入效应的测试方法
机译: 交流(AC)应力测试电路,评估AC应力引起的热载流子注入(HCI)退化的方法以及用于HCI退化评估的测试结构
机译: 快速测试热载流子效应的方法
机译:电路速度偏置下电热效应对n型SOI FinFET中热载流子注入的影响
机译:将热载流子注入效应纳入大型电路的时序分析
机译:在深亚微米NMOS器件中栅氧化层生长之前,热载流子寿命随N / sub 2 /离子注入而提高
机译:NMOS器件中热载流子注入效应的总剂量依赖性
机译:MOS器件和电路中热载流子效应的建模和仿真。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:CmOs器件和电路的热载流子可靠性评估
机译:批量CmOs VLsI技术研究。第5部分:高速集成电路功能测试仪的设计与实现