Hot-carrier reliability evaluation for CMOS devices and circuits

机译：CmOs器件和电路的热载流子可靠性评估

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by Vei-Han Chan.

机译：陈维汉。

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作者
Chan Vei-Han;
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年度 1995
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正文语种 eng
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1. Design considerations for CMOS digital circuits with improved hot-carrier reliability [J] . Leblebici Y. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1996,第7期

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2. Deuterium pressure dependence of characteristics and hot-carrier reliability of CMOS devices [J] . Kangguo Cheng, Jinju Lee, Zhi Chen Microelectronic Engineering . 2001,第3a4期

机译：氘压力对CMOS器件特性和热载流子可靠性的依赖性
3. A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits [J] . Ivan S. Esqueda, Hugh J. Barnaby Solid-State Electronics . 2014,第jana期

机译：基于缺陷的紧凑建模方法，用于CMOS器件和集成电路的可靠性
4. Projecting CMOS circuit hot-carrier reliability from DC device lifetime [C] . Quader, K.N., Ko, . 1993

机译：从直流设备寿命中推算出CMOS电路热载流子的可靠性
5. Hot-carrier reliability of CMOS integrated circuits. [D] . Chen, Jone Fang. 1998

机译：CMOS集成电路的热载流子可靠性。
6. Characteristic Fluctuations of Dynamic Power Delay Induced by Random Nanosized Titanium Nitride Grains and the Aspect Ratio Effect of Gate-All-Around Nanowire CMOS Devices and Circuits [O] . Yiming Li, Chieh-Yang Chen, Min-Hui Chuang, 2019

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7. Hot-carrier reliability assessment in CMOS digital integrated circuits [O] . Jiang Wenjie 1963- 1998

机译：CmOs数字集成电路中的热载流子可靠性评估

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