首页> 中国专利> 具有并联复位控制器件的忆阻阵列

具有并联复位控制器件的忆阻阵列

摘要

在根据本公开的一个示例中,描述了忆阻阵列。该阵列包括若干忆阻器件。忆阻器件可以在状态之间切换并且用于存储信息。该忆阻阵列还包括并联地耦接到若干忆阻器件的并联复位控制器件。并联复位控制器件通过调节流过目标忆阻器件的电流来调节用于若干忆阻器件的复位操作。

著录项

  • 公开/公告号CN108431895A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 慧与发展有限责任合伙企业;

    申请/专利号CN201680075803.0

  • 申请日2016-01-27

  • 分类号G11C13/00(20060101);

  • 代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人康泉;宋志强

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2023-06-19 06:17:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20160127

    实质审查的生效

  • 2018-08-21

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号