Ag纳米颗粒对Al2O3器件忆阻特性的影响

摘要

通过在Al2O3器件中引入Ag纳米颗粒(Ag NPs)，利用电场局部增强和不均匀分布来优化器件的忆阻特性，获得了很好的效果。实验发现:所制备的Al/Al2O3/Ti和Al/Al2O3/Ag NPs/Ti器件均表现出明显的双极电阻开关特性.在Al2O3/Ti界面处引入适当尺寸的Ag纳米颗粒，能够有效降低器件的开关电压和低阻态电阻值，有效提高器件的高低电阻比率，这对低功耗设备的研究具有很好的参考价值;嵌入Ag纳米颗粒的器件，其稳定性和忍耐力也获得了极大的提高，并且器件具有较长的数据保存时间，展现出了良好的非易失性，表明嵌入Ag纳米颗粒的Al2O3器件在非易失性存储器方面具有潜在的应用价值。