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公开/公告号CN108369897A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201680072766.8
发明设计人 陈一宏;K·陈;S·冈迪科塔;
申请日2016-12-16
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人杨学春
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 06:32:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20161216
实质审查的生效
2018-08-03
公开
机译: 用于W ALD工艺的共形非晶硅作为成核层
机译:用于32 nm互补金属氧化物半导体器件的具有乙硼烷还原钨原子层沉积法的低电阻成核层的新型接触插拔工艺
机译:使用四(二甲基氨基)钛和H_2O前驱体通过原子层沉积来晶圆级制备共形原子层TiO_2
机译:采用原子层沉积法生长的具有共形和无定形MoSx催化层的黑硅光电阴极用于光电化学析氢
机译:使用具有高沉积速率的动态VHF-PECVD工艺进行非晶硅钝化层和P型微晶层和P型微晶层的方法
机译:自组装介孔低k电介质上的共形纳米帽层的等离子体辅助原子层沉积。