首页> 中国专利> 用于钨原子层沉积工艺的作为成核层的共形非晶硅

用于钨原子层沉积工艺的作为成核层的共形非晶硅

摘要

用于沉积金属膜的方法,包括:在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层,以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。

著录项

  • 公开/公告号CN108369897A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201680072766.8

  • 发明设计人 陈一宏;K·陈;S·冈迪科塔;

    申请日2016-12-16

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人杨学春

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 06:32:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20161216

    实质审查的生效

  • 2018-08-03

    公开

    公开

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