一种制备金属硫族化合物半导体超细超长纳米线的方法及所制备的特征纳米线

摘要

本发明涉及纳米材料合成领域，具体涉及一种制备金属硫族化合物半导体超细超长纳米线的方法及制备的纳米线。所述方法包括步骤：制备金属前驱体和非金属前驱体；将金属前驱体和非金属前驱体溶液放入高压釜中，在优化的反应条件下进行溶剂热反应，即可得到金属硫族化合物半导体超细超长纳米线。本发明的合成方法具有普适性，利用该方法可合成出多种不同的金属硫族化合物半导体超细超长纳米线；所制备的半导体纳米线，形貌均一、结晶性好，线径小于5nm且长径比大于300，具有显著的量子限域效应，是纳米光电器件理想的构筑单元。