用高频波进行硅单晶生长过程控制的硅单晶炉

摘要

本公开涉及一种用高频波进行硅单晶生长过程控制的，其特征在于包括炉体、以及坩埚，其中，所述坩埚位于炉体内，用于容纳原料，其中，所述炉体的侧壁和/或底部布置有馈波孔，用于与外部微波加热组件对接，以对坩埚内的原料进行加热，所述坩埚由石英钳锅、以及套在所述石英钳锅外的石墨钳锅组成，所述石墨坩埚的底部连接有坩埚轴，所述坩埚轴从所述炉体的底部贯穿，用于在单晶硅生长过程中上下移动和转动所述坩埚。本公开使用微波提供热能，充分利用波能的频率和波长特性，既能达到直接高效加热硅料又能绕开介质的吸能浪费，根据多晶料的特性做到高效、快速熔融，在单晶生长期间提供足够大的温场梯度，以获得最大生长速度，提高生产效率。