一种轻离子溅射刻蚀制备磁性隧道结的方法

摘要

本发明提供了一种轻离子溅射刻蚀制备磁性隧道结的方法，采用低原子序数的正离子，具体来说，是指低于Ar+相对原子量39.948emu的正离子，比如：采用HX+(X＝1～3)、He+或者Ne+等，对磁性隧道结多层膜进行物理溅射刻蚀。本发明使得组成磁性隧道结的多层材料对刻蚀硬掩模材料具有较高的选择比，这样可以把刻蚀硬掩模做得相对较薄，同时可以采用低刻蚀功率，可以减少物理刻蚀损伤和侧壁导电覆盖物等问题，可以减少化学刻蚀损伤和刻蚀速率过慢等问题。有利于MRAM回路磁学性能、电学性能的改善和良率的提升，有利于磁性隧道结的小型化。