一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

摘要

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术，通过研究离子束刻蚀微米级线条时，离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系，在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形，并结合KOH的各向异性腐蚀，成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下，在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道，最小宽度可达440nm．