一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极。本发明采用的P面反射欧姆接触层，同时具备光反射和欧姆接触功能；通过P面反射欧姆接触层的区块化，通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度，可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题，有效减少N电极遮挡效应。本发明具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。