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公开/公告号CN112786750A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏大学;
申请/专利号CN202110197020.2
发明设计人 吕全江;刘军林;刘桂武;乔冠军;
申请日2021-02-22
分类号H01L33/14(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构
代理人
地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
入库时间 2023-06-19 10:55:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-20
授权
发明专利权授予
机译: AlGaInP基发光二极管的外延晶片及其制备方法
机译: 具有透明多层反射膜的垂直结构的AlGaInP发光二极管
机译: 具有垂直结构的AlGaInP发光二极管及其制造方法
机译:一种热稳定的NiZn / Ta / Ni方案,用于更换基于高效的AlGaInp的发光二极管中的Aube / Au触点
机译:基于AlGaInP的异质结构红色发光二极管中前向隧穿电流的优势。
机译:集成亚波长结构的红色AlGaInP发光二极管的理论分析和实验,以实现均匀的场分布和提高的光提取效率
机译:基于异质结构AlGaInP的发光二极管的γ降解
机译:AlGaInP混合晶体半导体中的长程有序结构
机译:细菌纤维素-电纺纳米纤维杂化结构的一种新的原位自组装制备方法
机译:亚波长结构集成红色alGaInp发光二极管的均匀场分布和提高光提取效率的理论分析与实验
机译:多孔siC衬底发光二极管及其制备方法。