法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-30
授权
授权
2012-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 23/755 申请日:20110523
实质审查的生效
2011-11-23
公开
公开
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 碳化硅半导体器件,其制造方法,过渡金属硅化物及其金属膜之间的结的制造方法以及过渡金属硅化物及其金属膜之间的结的制造方法
机译: 用超临界流体制备过渡金属硅化物的方法及用其制备的过渡金属硅化物