一种大容量存储器电路的3D封装结构

摘要

本发明公开了一种大容量存储器电路的3D封装结构，属于电子产品封装技术领域。该封装结构包括储存器芯片、胶粘剂、键合丝、基板和外壳；所述储存器芯片为多个，采用垂直错层堆叠方式形成3D芯片组，各储存器芯片之间采用胶粘剂粘接；所述3D芯片组采用胶粘剂粘接在基板上，基板采用胶粘剂固定在外壳上；所述3D芯片组与基板之间、3D芯片组与外壳之间、储存器芯片与储存器芯片之间均采用键合丝完成电连接。本申请芯片之间采用垂直错层堆叠方式，不但提高了储存容量，还可以满足国内尖端行业对储存器产品的高可靠性需求。