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半导体集成电路布局的设计方法和制造半导体装置的方法

摘要

一种半导体集成电路布局的设计方法和一种制造半导体装置的方法,所述设计方法包含选择包含至少一个第一栅极图案的第一单元布局;选择包含至少一个第二栅极图案的第二单元布局,所述至少一个第二栅极图案具有与所述至少一个第一栅极图案的栅极长度不同的栅极长度;从第一单元布局和第二单元布局生成图案布局;以及在图案布局上生成选择性交叠第一单元布局的掩模布局。

著录项

  • 公开/公告号CN108063119A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201711021953.6

  • 发明设计人 朴相俊;金柄成;朴哲弘;朴春烨;

    申请日2017-10-26

  • 分类号

  • 代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘培培

  • 地址 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号

  • 入库时间 2023-06-19 05:25:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/82 申请日:20171026

    实质审查的生效

  • 2018-05-22

    公开

    公开

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