基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构

摘要

本发明公开了一种基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构，包括：薄势垒异质结，自下而上包括：GaN缓冲层和薄势垒层，在该薄势垒异质结的界面处存在受晶格应变调控的二维电子气；电荷诱导层，形成于薄势垒层上方，包含若干间隔开的被刻蚀至薄势垒层的空心区域，分别为源极开口区、漏极开口区以及栅极开口区；以及Fin纳米带阵列结构，在栅极开口区由薄势垒层刻蚀至GaN缓冲层内部形成，用于实现应变调控。该结构使Fin宽拓宽至100nm以上，解决了目前增强型AlGaN/GaN FinFET器件Fin宽临界尺寸偏小问题，从而增大了器件Fin宽制备工艺窗口，降低了工艺难度以及制作AlGaN/GaN FinFET器件的工艺成本。